Abstract In this study, Na 1/3 (Ca 1−x Cd x ) 1/3 Bi 1/3 Cu 3 Ti 4 O 12 (x = 0, 0.2, 0.4, 0.8, and 1.0) ceramics were prepared via solid-state method. Effects of substitution of Ca 2+ with Cd 2+ on the microstructure, dielectric response, and non-Ohmic properties of Na 1/3 Ca 1/3 Bi 1/3 Cu 3 Ti 4 O 12 ceramics were studied systematically. Results showed that all samples possessed single perovskite phase, in which grain size increased with the increase in Cd 2+ doping content. Energy band gaps and activation energy first increased and then decreased, achieving their maxima (4.22 and 0.642 eV, respectively) at x = 0.2. Besides, dielectric constant of doped samples increased with the decrease in dielectric loss in frequency range of 40–10 6 Hz. Moreover, improvement in non-Ohmic properties was also observed with Cd 2+ doping. The optimal dielectric properties (dielectric constant of ∼12,500, dielectric loss of ∼0.032 at 10 kHz, nonlinear coefficient of ∼3.42, and breakdown strength of ∼2.7 kV·cm −1 ) were achieved at x = 0.2. Dielectric response mechanism of ceramics followed internal barrier layer capacitor model while nonlinear ohmic properties were derived from Schottky barrier structure. Dielectric relaxation peaks at high temperatures (120 °C–220 °C) were associated with grain boundaries. Therefore, partial substitution of Ca 2+ with Cd 2+ can improve simultaneously dielectric and non-Ohmic properties of Na 1/3 Ca 1/3 Bi 1/3 Cu 3 Ti 4 O 12 ceramics, which is conducive to their application in high-energy-density storage capacitors and varistors.

The accelerated formation of lithium dendrites has considerably impeded the advancement and practical deployment of all-solid-state lithium metal batteries (ASSLMBs). In this study, a soft carbon (SC)–Li3N interface layer was developed with both ionic and electronic conductivity, for which the in situ lithiation reaction not only lithiated SC into LiC6 with good electronic/ionic conductivity but also successfully transformed the mixed-phase Li3N into pure-phase β-Li3N with a high ionic conductivity/ion diffusion coefficient and stability to lithium metal. The mixed conductive interface layer facilitates fast Li+ transport at the interface and induces the homogeneous deposition of lithium metal inside it. This effectively inhibits the formation of lithium dendrites and greatly improves the performance of the ASSLMB. The ASSLMB assembled with the SC–Li3N interface layer exhibits high areal capacity (15 mA h cm–2), high current density (7.5 mA cm–2), and long cycle life (6000 cycles). These results indicate that this interface layer has great potential for practical applications in high-energy-density ASSLMBs.

Abstract Half of the world's population depends on rice for their calories. Protecting rice in the growth period from damage caused by phytopathogens is faced with a great challenge under the frequent extreme climate. To find novel fungicides to control rice diseases, 35 novel phenylthiazole‐1,3,4‐oxadiazole‐thioether (sulfone) derivatives were synthesized and evaluated for their efficacy against destructive fungal and bacterial diseases of rice. Bioassay results demonstrated that most of G‐series compounds possessed excellent antifungal and antibacterial activities. In particular, compounds G1 (EC 50 = 2.22 μg/mL, R.s ) and G7 (EC 50 = 2.76 μg/mL, R.s ) showed the most promising antifungal activities in vitro and exhibited superior protective and curative activities against rice sheath blight in vivo compared with commercial carbendazim. Surprisingly, compound G2 exhibited the remarkable antibacterial activity against Xanthomonas oryzae pv. oryzae ( Xoo ) with an EC 50 value of 1.98 μg/mL, and demonstrated superior protective activity (88.08%) than thiodiazole copper (79.39%) against rice bacterial leaf blight at 200 μg/mL. The abovementioned results fully manifested that the phenylthiazole‐1,3,4‐oxadiazole‐sulfone structure, especially compounds G1 and G2 , had the potential to develop as commercial agents for controlling rice fungal and bacterial diseases.

Near-infrared (NIR) phosphor tetragonal K3GaF6:Cr3+ with the space group of I41/a is synthesized through the coprecipitation method, which shows a broadband emission from 600 to 950 nm due to the 4T2→4A2 transition at ambient condition. The luminescent properties and phase transition of K3GaF6:Cr3+ are investigated under different temperatures and pressures using luminescence spectra and Raman spectra. K3Ga0.95F6:0.05Cr3+ undergoes two phase transitions at 170 °C and 230 °C respectively, but Cr3+ exhibits similar broad emission in three different structures. Different from a sequence of phase transitions upon heating, no phase transition is observed up to 22 GPa. However, pressure-induced crossover of the 4T2 and 2E states presents at 9.3 GPa, resulting in dominant narrow-band emissions from the 2E→4A2 transition at higher pressure. These results suggest that pressure can regulate the luminescence properties of K3GaF6:Cr3+ phosphor effectively. This work will deepen the understanding of Cr3+-doped fluoride, which is helpful to expand the application of NIR luminescent materials under extreme conditions.