For application in high-efficiency silicon solar cells bearing SiOx-based passivating contacts, we have developed 100 nm thick, PECVD Si-rich amorphous films, capable of being processed in industrial furnaces without blistering, by incorporating adequate amounts of each of C, N, and O in the films during PECVD. We found that non-blistering of the films is a result of the low intrinsic stress (compressive) in the films and not due to a low H content, which, in fact, is much higher in the non-blistering films than in the C-, N-, and O-free films. Among the three types of non-blistering Si-rich amorphous films, we conclude that the O-incorporated one is the most suitable for application in SiOx-based passivating contacts owing to the film's high excess Si content and ability to crystallize.

Understanding the behavior of mobile ions in perovskite‐based solar cells (PSCs) is crucial for improving their performance and stability, which belong to the key hurdles in advancing this technology toward commercialization. This study explores the role of mobile ions in PSCs using the comprehensive technology computer‐aided design model which is extended to simulate the frequency‐dependent capacitance ( C–f ) of PSCs. It is compared with equivalent circuit approaches showcasing the validity and advantages of full device modeling. By combining the simulation of full measurement procedures with C–f and J–V measurements on experimental test structures, the observed C–f characteristics can be quantitatively related to performance losses in scan‐time‐dependent J–V curves, both originating from ion diffusion. With this combined analysis, insights can be provided on the physical origin and interpretation of the different C–f plateaus caused by the displacement of ions. Finally, the C–f characteristics of PSCs under illumination and the impact of band alignment and recombination at the perovskite interface are investigated. Experimental PSCs with and without electron‐transport layer passivation are fabricated, showing a good agreement between the simulated and measured C–f and pointing toward a lower surface recombination for the passivated PSC. This study shows how drift‐diffusion modeling helps to characterize and interpret capacitance‐based data.