Abstract Passivation of interfacial defects serves as an effective means to realize highly efficient and stable perovskite solar cells (PSCs). However, most molecular modulators currently used to mitigate such defects form poorly conductive aggregates at the perovskite interface with the charge collection layer, impeding the extraction of photogenerated charge carriers. Here, a judiciously engineered passivator, 4‐ tert ‐butyl‐benzylammonium iodide (tBBAI), is introduced, whose bulky tert ‐butyl groups prevent the unwanted aggregation by steric repulsion. It is found that simple surface treatment with tBBAI significantly accelerates the charge extraction from the perovskite into the spiro‐OMeTAD hole‐transporter, while retarding the nonradiative charge carrier recombination. This boosts the power conversion efficiency (PCE) of the PSC from ≈20% to 23.5% reducing the hysteresis to barely detectable levels. Importantly, the tBBAI treatment raises the fill factor from 0.75 to the very high value of 0.82, which concurs with a decrease in the ideality factor from 1.72 to 1.34, confirming the suppression of radiation‐less carrier recombination. The tert ‐butyl group also provides a hydrophobic umbrella protecting the perovskite film from attack by ambient moisture. As a result, the PSCs show excellent operational stability retaining over 95% of their initial PCE after 500 h full‐sun illumination under maximum‐power‐point tracking under continuous simulated solar irradiation.

Constructing high efficient nanostructured photocatalysts is meaningful for dyeing wastewater treatment. Herein, a new p-n heterostructured photocatalyst of NiS/BiVO4 (NiS/BVO) was well designed, synthesized and applied to photodegrade anion organic dye. Coupling p-type NiS nanoparticles on n-type decahedral nanostructured BVO cannot obviously increase the specific surface area, but can effectively increase the light harvesting, enhance the photocurrent response, and promote the separation and transfer of the photo-generated electron-holes. As a result, 0.7 molar ratio of NiS/BVO exhibited the best photocatalytic capability of 95.6 % within 90 min irradiation, possessing the highest degradation rate of 1.7970 h−1, which is almost 16 and 33 times higher than pure BVO (15.8 %, 0.1134 h−1) and NiS (7.9 %, 0.0543 h−1). Meanwhile, NiS/BVO has well photocatalytic stability in at least five cycling tests.

In the deep hole gun drilling process, the holes' small diameter and long depth, combined with the narrow chip removal space, have made the relationship between process parameters and chip formation a persistent challenge in deep hole machining research. 304 stainless steel, known for its excellent wear and corrosion resistance, is widely used to manufacture deep-hole components. However, it also has processing difficulties, such as high hardness and poor plasticity. Therefore, this study focuses on 304 stainless steel, utilizing ABAQUS simulation software to model the chip formation process during deep hole gun drilling and investigate the effects of process parameters on chip formation. Based on the simulation results and employing fluid–structure interaction theory, a fluid–solid coupling simulation model was established using ANSYS Fluent software to study the impact of coolant pressure on chip formation. The relationship between coolant pressure and chip curling deformation at different stages of chip growth was elucidated. Subsequently, deep-hole gun drilling tests were conducted to analyze chip morphology. Scanning electron microscopy (SEM) was used to study the fracture mechanism of chips during the deep hole gun drilling of 304 stainless steel, ultimately revealing the relationship between chip formation and process parameters in this machining process.