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Cong Ye
Author with expertise in Memristive Devices for Neuromorphic Computing
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Optimization Model of Transmission Price for Dedicated Project Oriented to New Power System and Power Spot Market

Yuou Hu et al.Apr 11, 2024
In order to solve the problems that after the operation of power spot market, it is difficult to determine the transmission price of the dedicated transmission projects in accordance with the original method, and that the current transmission pricing mechanism may affect the competitive efficiency of power spot market, the optimization model of twopart transmission price for dedicated transmission projects oriented to power spot market is put forward. Firstly, this paper analyzes the inadaptability of transmission pricing mechanism of China's current inter-regional/provincial dedicated projects, which are mainly based on the function of transmission, in the environment of power spot market, and explains its adverse impacts in terms of fair sharing of the recovery risk of the permitted revenues of the dedicated projects, as well as the promotion of effective competition in the power spot market. Then, the impact of the power transmission price for dedicated transmission projects on power spot market is analyzed, and the optimisation model for two-part transmission price based on the one-dimensional search algorithm and the joint economic dispatch model of multi-period energy and reverse is designed and established, so as to determine the critical point of capacity price recovery of permitted revenues from dedicated transmission projects in two-part transmission price. Finally, the validity of the model is verified by case simulation, and the key factors affecting the transmission price structure are analyzed.
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Phosphorylation Enables Nano‐Graphene for Tunable Artificial Synapses

Zhen‐Yu Zhang et al.Nov 24, 2024
Abstract Flexible and robust memristors with controllable resistance‐switching characteristics are important to neuromorphic computing. However, the nanomaterials‐based, solution‐processed resistance switching layer usually has poor reliability and tunability due to uneven morphology and invariable surface properties. Herein, phosphorylated graphene nanoflakes (phos‐GPs) are synthesized for high‐performance solution‐processed flexible memristors. In situ conductive atomic force microscopy reveals that the tightly stacked uniform nanoflakes and modified phosphorate groups jointly reduce the formation barrier of the conductive filaments. Furthermore, phosphorylation gives rise to surface silver ion coordination leading to enhanced radial growth of the conductive filaments. The memristor shows volatile characteristics in the Ag/phos‐GPs/ITO architecture and exhibits non‐volatile properties in the Ag/Ag + ‐(phos‐GPs)/ITO structure. Both types of memristors display consistent I‐ ‐ V curves during long‐term cycling and under repetitive mechanical bending, in addition to excellent synaptic plasticity. Moreover, ultrasmall nonlinearity is observed from non‐volatile long‐term synaptic potentiation and depression. By utilizing the tunable artificial synapses, the processes of memory‐forgetting and re‐recognition are simulated, and the image recognition tasks are accomplished by the artificial neural networks.