QC
Qiang Cui
Author with expertise in Estimating Vehicle Fuel Consumption and Emissions
Achievements
Open Access Advocate
Key Stats
Upvotes received:
0
Publications:
8
(63% Open Access)
Cited by:
3
h-index:
31
/
i10-index:
69
Reputation
Biology
< 1%
Chemistry
< 1%
Economics
< 1%
Show more
How is this calculated?
Publications
0

One-step electrodeposition of a novel gold nanoparticles/MoS2-graphene nanocomposite based electrochemical sensor for simultaneous determination of tert-butylhydroquinone and butylated hydroxyanisole

Shanshan Li et al.Jun 1, 2024
The study developed a novel electrochemical sensor based on gold nanoparticles (AuNPs)/MoS2-graphene nanocomposite for simultaneous determination of tert-butylhydroquinone (TBHQ) and butylated hydroxyanisole (BHA). Herein, AuNPs were in situ grown onto the MoS2-graphene oxide (GO) nanocomposite modified electrode by a simple electrodeposition. Meanwhile, the GO was reduced to the higher conductive reduced graphene oxide (RGO) during the electrochemistry process. The prepared AuNPs/MoS2-RGO nanocomposite not only increased the active electrochemical surface area but also improved the current response towards TBHQ and BHA, which exhibited highly sensitive and selective for simultaneous determination of TBHQ and BHA. The proposed sensor showed excellent responses towards TBHQ and BHA in a wide linear range from 1 to 500 μmol·L−1, as well as detection limits of 0.30 μmol·L−1 for TBHQ and 0.25 μmol·L−1 for BHA, respectively. In addition, the sensor was successfully applied for the determination of TBHQ and BHA in different food samples, giving satisfactory recoveries.
0

A Novel TCAD Methodology of Robustness Evaluation for HV ESD Protection Devices

Tianyi Zhang et al.Aug 1, 2024
Abstract Second breakdown current (It 2 ) is an important merit of Electrostatic discharge (ESD) protection devices, and it is especially critical for high voltage ESD design. The device physics involved in ESD phenomena are highly complex as ESD devices operate at high current condition within a short period of time. Technology Computer Aided Design (TCAD) simulation offers faster design optimization and quantitative evaluation of robustness, which can significantly improve ESD device’s robustness. However, an accurate TCAD simulation requires accurate modelling of sophisticated device physics. Due to the ESD’s high stress nature, understanding and modelling of such device physics are non-trivial. We applied TCAD 2D simulation to a high voltage Silicon-controlled Rectifier (SCR), 2D simulation to diode and 3D simulation to diode with different sizes. Based on comparisons of two ESD modes (HBM and CDM) and two transmission line pulses (TLP and VFTLP) simulation data, the simulation method is self-consistent and shows effective It2 prediction ability. The above-mentioned TCAD simulation method can help accelerate design iteration of ESD design and find more optimized ESD device structures.