XW
Xin Wang
Author with expertise in Electrocatalysis for Energy Conversion
Achievements
Cited Author
Key Stats
Upvotes received:
0
Publications:
11
(36% Open Access)
Cited by:
2,231
h-index:
22
/
i10-index:
24
Reputation
Biology
< 1%
Chemistry
< 1%
Economics
< 1%
Show more
How is this calculated?
Publications
0

Identification of active sites for acidic oxygen reduction on carbon catalysts with and without nitrogen doping

Yi Jia et al.Jun 17, 2019
Owing to the difficulty in controlling the dopant or defect types and their homogeneity in carbon materials, it is still a controversial issue to identify the active sites of carbon-based metal-free catalysts. Here we report a proof-of-concept study on the active-site evaluation for a highly oriented pyrolytic graphite catalyst with specific pentagon carbon defective patterns (D-HOPG). It is demonstrated that specific carbon defect types (an edged pentagon in this work) could be selectively created via controllable nitrogen doping. Work-function analyses coupled with macro and micro-electrochemical performance measurements suggest that the pentagon defects in D-HOPG served as major active sites for the acidic oxygen reduction reaction, even much superior to the pyridinic nitrogen sites in nitrogen-doped highly oriented pyrolytic graphite. This work enables us to elucidate the relative importance of the specific carbon defects versus nitrogen-dopant species and their respective contributions to the observed overall acidic oxygen reduction reaction activity. The active sites of metal-free carbon catalysts for the oxygen reduction reaction remain still elusive. Now, Yao, Dai and co-workers combine work-function analyses with macro/micro-electrochemical measurements on highly oriented pyrolytic graphite and conclude that pentagon defects are the main active sites for acidic oxygen reduction.
0

Defect‐Induced Pt–Co–Se Coordinated Sites with Highly Asymmetrical Electronic Distribution for Boosting Oxygen‐Involving Electrocatalysis

Linzhou Zhuang et al.Nov 28, 2018
Rational design and synthesis of hetero-coordinated moieties at the atomic scale can significantly raise the performance of the catalyst and obtain mechanistic insight into the oxygen-involving electrocatalysis. Here, a facile plasma-photochemical strategy is applied to construct atomically coordinated Pt-Co-Se moieties in defective CoSe2 (CoSe2-x ) through filling the plasma-created Se vacancies in CoSe2-x with single Pt atomic species (CoSe2-x -Pt) under ultraviolet irradiation. The filling of single Pt can remarkably enhance the oxygen evolution reaction (OER) activity of CoSe2 . Optimal OER specific activity is achieved with a Pt content of 2.25 wt% in CoSe2-x -Pt, exceeding that of CoSe2-x by a factor of 9. CoSe2-x -Pt shows much better OER performance than CoSe2-x filled with single Ni and even Ru atomic species (CoSe2-x -Ni and CoSe2-x -Ru). Noticeably, it is general that Pt is not a good OER catalyst but Ru is; thus the design of active sites for electrocatalysis at an atomic level should follow a different intrinsic mechanism. Mechanism studies unravel that the single Pt can induce much higher electronic distribution asymmetry degree than both single Ni and Ru, and benefit the interaction between the Co sites and adsorbates (OH*, O*, and OOH*) during the OER process, leading to a better OER activity.
0

Radiation damage of InGaAs avalanche photodiode under gamma ray irradiation

Rui Li et al.Jun 6, 2024
The γ-ray irradiation characteristics of InGaAs avalanche photodiode (APD) in a space radiation environment have been comprehensively investigated through an in-depth study. The results show that γ-ray can cause the dark current and low frequency noise of InGaAs APD to increase, while the avalanche breakdown characteristics, multiplication gain, spectral response and capacitance of the device are less affected by irradiation, and almost no obvious changes occur, which suggests that these parameters are insensitive to ionizing radiation. In addition, the activation energy of the device under different bias voltages is significantly increased by the ionization damage after irradiation. Finally, the annealing experiments at different temperatures after irradiation were carried out. The results show that the interface state induced by radiation is the main factor affecting the increase of dark current of InGaAs APD. It is found that the interface state induced by radiation is the main factor leading to the increase of dark current, low frequency noise and activation energy of InGaAs APD. Reducing the interface state can improve the device's ability to inhibit ionizing radiation damage.
Load More