RM
Rui Miao
Author with expertise in Electrochemical Reduction of CO2 to Fuels
Achievements
Cited Author
Key Stats
Upvotes received:
0
Publications:
9
(0% Open Access)
Cited by:
1,139
h-index:
26
/
i10-index:
41
Reputation
Biology
< 1%
Chemistry
< 1%
Economics
< 1%
Show more
How is this calculated?
Publications
0

Single Pass CO2 Conversion Exceeding 85% in the Electrosynthesis of Multicarbon Products via Local CO2 Regeneration

Colin O’Brien et al.Jul 30, 2021
The carbon dioxide reduction reaction (CO2RR) presents the opportunity to consume CO2 and produce desirable products. However, the alkaline conditions required for productive CO2RR result in the bulk of input CO2 being lost to bicarbonate and carbonate. This loss imposes a 25% limit on the conversion of CO2 to multicarbon (C2+) products for systems that use anions as the charge carrier—and overcoming this limit is a challenge of singular importance to the field. Here, we find that cation exchange membranes (CEMs) do not provide the required locally alkaline conditions, and bipolar membranes (BPMs) are unstable, delaminating at the membrane–membrane interface. We develop a permeable CO2 regeneration layer (PCRL) that provides an alkaline environment at the CO2RR catalyst surface and enables local CO2 regeneration. With the PCRL strategy, CO2 crossover is limited to 15% of the amount of CO2 converted into products, in all cases. Low crossover and low flow rate combine to enable a single pass CO2 conversion of 85% (at 100 mA/cm2), with a C2+ faradaic efficiency and full cell voltage comparable to the anion-conducting membrane electrode assembly.
0

H/O Edge Passivated B/N Co-Doped Armchair Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors, Based on First Principles.

Jingui Deng et al.Jun 17, 2024
Abstract This study employs the nonequilibrium Green’s function method in conjunction with density functional theory to fabricate and analyze a Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistor (GNRFET). The co-doping of B and N creates built-in electric fields, thereby reducing leakage current. The results demonstrate effective control performance of planar gates, as evidenced by an increase in Ids with rising gate voltage. Furthermore, a negative differential conductance phenomenon is observed at bias voltages exceeding 0.7 V, exhibiting correlation with transmission spectra and energy band structures. To precisely illustrate the electron distribution within the doped scattering region, calculations involving transport paths, the molecular projection self-consistent Hamiltonian (MPSH), and the emission eigenvalues and eigenstates of the device are conducted. This research provides a reference for exploring and developing smaller and more energy-efficient AGNR field effect transistor designs and implementations. The principal objective of this paper is to investigate the potential applications of smaller, more energy-efficient devices.