PY
Pengfei Yang
Author with expertise in Chemical Mechanical Polishing in Microelectronics Manufacturing
Achievements
Cited Author
Key Stats
Upvotes received:
0
Publications:
5
(20% Open Access)
Cited by:
270
h-index:
21
/
i10-index:
31
Reputation
Biology
< 1%
Chemistry
< 1%
Economics
< 1%
Show more
How is this calculated?
Publications
0

Weakly Humidity‐Dependent Proton‐Conducting COF Membranes

Li Cao et al.Nov 12, 2020
Abstract State‐of‐the‐art proton exchange membranes (PEMs) often suffer from significantly reduced conductivity under low relative humidity, hampering their efficient application in fuel cells. Covalent organic frameworks (COFs) with pre‐designable and well‐defined structures hold promise to cope with the above challenge. However, fabricating defect‐free, robust COF membranes proves an extremely difficult task due to the poor processability of COF materials. Herein, a bottom‐up approach is developed to synthesize intrinsic proton‐conducting COF (IPC‐COF) nanosheets (NUS‐9) in aqueous solutions via diffusion and solvent co‐mediated modulation, enabling a controlled nucleation and in‐plane‐dominated IPC‐COF growth. These nanosheets allow the facile fabrication of IPC‐COF membranes. IPC‐COF membranes with crystalline, rigid ion nanochannels exhibit a weakly humidity‐dependent conductivity over a wide range of humidity (30–98%), 1–2 orders of magnitude higher than that of benchmark PEMs, and a prominent fuel cell performance of 0.93 W cm −2 at 35% RH and 80 ° C arising from superior water retention and Grotthuss mechanism‐dominated proton conduction.
0

Revisiting the Epitaxial Growth Mechanism of 2D TMDC Single Crystals

Chenyang Li et al.Aug 16, 2024
Abstract Epitaxial growth of 2D transition metal dichalcogenides (TMDCs) on sapphire substrates has been recognized as a pivotal method for producing wafer‐scale single‐crystal films. Both step‐edges and symmetry of substrate surfaces have been proposed as controlling factors. However, the underlying fundamental still remains elusive. In this work, through the molybdenum disulfide (MoS 2 ) growth on C/M sapphire, it is demonstrated that controlling the sulfur evaporation rate is crucial for dictating the switch between atomic‐edge guided epitaxy and van der Waals epitaxy. Low‐concentration sulfur condition preserves O/Al‐terminated step edges, fostering atomic‐edge epitaxy, while high‐concentration sulfur leads to S‐terminated edges, preferring van der Waals epitaxy. These experiments reveal that on a 2 in. wafer, the van der Waals epitaxy mechanism achieves better control in MoS 2 alignment (≈99%) compared to the step edge mechanism (<85%). These findings shed light on the nuanced role of atomic‐level thermodynamics in controlling nucleation modes of TMDCs, thereby providing a pathway for the precise fabrication of single‐crystal 2D materials on a wafer scale.