Abstract Perovskite solar cells (PSCs) have rapidly developed and achieved power conversion efficiencies of over 20% with diverse technical routes. Particularly, planar‐structured PSCs can be fabricated with low‐temperature (≤150 °C) solution‐based processes, which is energy efficient and compatible with flexible substrates. Here, the efficiency and stability of planar PSCs are enhanced by improving the interface contact between the SnO 2 electron‐transport layer (ETL) and the perovskite layer. A biological polymer (heparin potassium, HP) is introduced to regulate the arrangement of SnO 2 nanocrystals, and induce vertically aligned crystal growth of perovskites on top. Correspondingly, SnO 2 –HP‐based devices can demonstrate an average efficiency of 23.03% on rigid substrates with enhanced open‐circuit voltage ( V OC ) of 1.162 V and high reproducibility. Attributed to the strengthened interface binding, the devices obtain high operational stability, retaining 97% of their initial performance (power conversion efficiency, PCE > 22%) after 1000 h operation at their maximum power point under 1 sun illumination. Besides, the HP‐modified SnO 2 ETL exhibits promising potential for application in flexible and large‐area devices.

We report the experimental discovery of intrinsic ferromagnetism in Cr2Ge2Te6 atomic layers by scanning magneto-optic Kerr microscopy. In this 2D van der Waals ferromagnet, unprecedented control of transition temperature is realized via small magnetic fields.

The demand for high-density memory drives the development of multistate nonvolatile memory devices. However, switching to an assigned intermediate memory state requires additional steps in multistate memories such as ferroelectric tunnel junctions (FTJs). Here, we design in-plane FTJs by utilizing ferroelectric control of the metal-semiconductor transition in \ensuremath{\alpha}-tellurene$/{\mathrm{In}}_{2}{\mathrm{Se}}_{3}$ van der Waals heterostructures. The tunnel electroresistance ratio of in-plane FTJs exhibits more pronounced differences in two transport directions with the increase in channel length, and it can remain above 5 \ifmmode\times\else\texttimes\fi{} ${10}^{4}$% at low bias voltage. Furthermore, synergistic anisotropic transport and ferroelectric polarization can induce four independent storage states, enabling direct switching between the four states without requiring the erasing step. This work simplifies operations and offers an alternative approach for implementing multistate nonvolatile memory.

Aluminum gallium nitride (AlGaN)-based deep ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) hold tremendous potential and application prospects. However, DUV LEDs face challenges such as low internal quantum efficiency (IQE) and degraded...

All-polymer solar cells (all-PSCs) have attracted significant attention due to their unique advantages, such as intrinsic stretchability and high thermal stability. However, in the PM6:PYIT system, the control of phase-separated...

Abstract The performance and stability of inverted perovskite solar cells (PSCs) is adversely affected by the recombination loss, ion migration, and residual stress arising from issues within the bulk and at the cathode interface. Using simple post‐treatment with a novel solution‐processable derivative of the dodecahydro‐ closo ‐dodecaborate anion ([ closo ‐B 12 H 12 ] 2− )—(TBA) 2 [B 12 H 11 (OCH 2 CH 2 ) 2 OH] (TBA 2 B)—it is simultaneously address these issues. In inverted PSCs, the cationic and anionic components of TBA 2 B uniquely self‐separate by positioning themselves precisely to perform their specific modification functions. The majority of [B 12 H 11 (OCH 2 CH 2 ) 2 OH] 2‐ anions reside at the (6,6)‐phenyl‐C 61 butyric acid methyl ester (PCBM)/Ag interface, which enhances the electrical and physical contact. Additionally, a substantial fraction of tetrabutylammonium cations diffuse into the perovskite/PCBM heterojunction, enabling comprehensive control over the trap passivation, stress release, ion migration elimination, and grain boundary reinforcement through the in situ formation of 1D TBAPbI 3 on the surface of the perovskite crystals. The TBA 2 B devices exhibit high power conversion efficiency of 25.59% and open‐circuit voltage of 1.199 V, performance that is among the highest achieved with a solution‐processed perovskite/PCBM heterojunction. Furthermore, TBA 2 B significantly enhances the device's stability. This study provides crucial insights into the design of efficient and solution processable [ closo ‐B 12 H 12 ] 2− ‐based interface materials, and offers a comprehensive understanding of the underlying modification mechanisms.