The toughness of SiC fiber reinforced ceramic matrix composites (CMCs) can be significantly improved by the adoption of a pyrolytic carbon (PyC) interphase but this cannot be exposed to oxidizing environments at high temperatures. Here we considered a BN interphase as an alternative and investigated the flexural properties of SiCf/BN/SiBCN CMCs before and after high temperature exposure (1050 °C, 1200 °C and 1350 °C) in air. The flexural and interfacial shear strengths were determined by three-point bending and single fiber push-out tests, respectively. The flexural strength of the composites decreased from 325 ± 23 MPa to 165 ± 15 MPa, while the interfacial shear strength increased from 32 ± 9 MPa to 88 ± 18 MPa after oxidation at 1350 °C for 30 h. Digital image correlation (DIC) was used to visualize crack initiation and growth during the bending tests. This revealed that cracks formed on the tensile side of the specimens before being deflected and eventually passed through the fiber tow. The oxidation of the SiCf/BN/SiBCN composite at high-temperature resulted in the formation of borosilicate glass along the interphase area, and a porous structure was observed after oxidation at high temperatures due to its evaporation. The interfacial shear strength between the fiber and matrix increased after oxidation at high temperatures, which resulted in brittle failure of the composite.

In this paper, graphene field effect transistors (GFETs) with the top-gate structure are taken as the research object. The electrical stress reliabilities are studied under different bias voltage conditions. The electrical pressure conditions are gate electrical stress (<i>V</i>_G = –10V, <i>V</i>_D = 0V and <i>V</i>_S = 0V), drain electric stress (<i>V</i>_D = –10V, <i>V</i>_G = 0V and <i>V</i>_S = 0V), and electrical stresses applied simultaneously by gate voltage and drain voltage (<i>V</i>_G = –10V, <i>V</i>_D = -10V, <i>V</i>_S = 0V). Using a semiconductor parameter analyzer, the transfer characteristic curves of GFETs before and after electrical stress are obtained. At the same time, the carrier migration and the Dirac voltage <i>V</i>_Dirac degradation are extracted from the transfer characteristic curves. The test results show that under different electrical pressures, the carrier mobility of GFETs degrades continuously with the increase of electric stress time. Different electrical pressure conditions have varying effects on the drift direction and degradation of <i>V</i>_Dirac: gate electrical stress and drain electrical stress cause <i>V</i>_Dirac drift of the device in opposite directions, and the gate electrical stress is greater than the electrical stress applied by both gate voltage and drain voltage, leading to <i>V</i>_Dirac degradation of GFETs. An analysis of the causes indicates that different electrical stresses produce different electric field directions in the device, which can affect the carrier concentration and movement direction. Electrons and holes in the channel are induced and tunnel into the oxide layer, and they are captured by trap charges in the oxide layer and at the interface between graphene and oxide, forming oxide trap charges and interface trap charges. This is the main reason for reducing carrier mobility of GFET. Different electric field directions under different electric stresses produce positively charged trap charges and negatively charged trap charges. The difference in the type of trap charge banding is the main reason for the different directions of <i>V</i>_Dirac drift in GFETs. When both trap charges coexist, they have a canceling effect on the <i>V</i>_Diracdrift of the GFETs. Finally, by combining TCAD simulation the simulation model of the influence of electrical stress induced trap charge on the <i>V</i>_Dirac generation of GFET is further revealed. The result demonstrates that the differences in the type of trap charge banding have different degradation effects on the <i>V</i>_Dirac of GFETs. The related research provides data and theoretical support for putting graphene devices into practical application .