Anti-factor VIII (FVIII) antibody development poses a significant challenge in hemophilia A (HA) patients receiving FVIII protein replacement therapy. There is an urgent need for novel therapeutic strategies to inhibit the production of anti-FVIII inhibitory antibodies (inhibitors) in HA. This study aimed to investigate a combination monoclonal antibody (mAb) therapy targeting CXCL13 and CD20 on the development of anti-FVIII antibodies in a HA murine model, along with the underlying mechanisms involved. Specifically, mAbs targeting mouse CD20 (18B12) with an IgG2a backbone and mouse CXCL13 (2C4) with an IgG1 backbone were synthesized. HA mice with FVIII inhibitors were established, and the results revealed that the combination therapy of anti-mCD20 with α-mCXCL13 significantly suppressed anti-FVIII antibody development and induced FVIII tolerance. Furthermore, this combination therapy led to a marked reduction of peripheral and splenic follicular helper T cells and an enhancement of regulatory T cell induction, along with sustained depletion of bone marrow and splenic plasma cells in HA mice with preexisting FVIII immunity. Thus, the concurrence of blockage of CD20 and neutralization of CXCL13 hold promise as a therapeutic strategy for HA patients with inhibitors.

In this work, we systematically investigate low-temperature polycrystalline silicon (LTPS)-based driving circuits of electronic paper for the aim of adopting small width/length ratio (W/L) of LTPS-based thin film transistors (TFTs) to reduce switch error and thus improve image sticking. Firstly, LTPS-TFTs with extremely low off-state leakage current (IOFF) even at a large source-drain voltage (VDS) of 30 V were obtained through detailed explorations of LTPS process technology. Meanwhile, the high on-state current (ION) of LTPS-TFTs also meet the requirements of fast signal writing to the storage capacitor due to their extremely high field-effect mobility (approximately 100 cm2/V⋅s), making it possible to fabricate TFTs with relatively small W/L, thereby minimizing switch error. The ID-VD test results reveal that the produced LTPS-TFTs can effectively withstand the maximum voltage difference of 30 V during product operation. Subsequently, the optimal W/L of the LTPS-TFT was determined through experimental results. Then, reliability test was conducted on the obtained LTPS-TFTs, revealing that the threshold voltage (VTH) of the LTPS-TFTs shifted by 0.08 V after 7200 s under negative bias temperature stress (NBTS), and only by 0.19 V under positive bias temperature stress (PBTS). The aging test results of the aforementioned LTPS-TFTs exhibits a new physical phenomenon, that is, the IOFF of the LTPS-TFTs has a strict matching characteristic with the aging direction. Next, we proposed a novel 2T2C driving circuit for the e-paper, which can effectively avoid the adverse effects of IOFF on the frame holding period, and plotted it into an array layout. Finally, we combined the optimal fabricating process of the LTPS-TFTs with the 2T2C driving circuit design scheme to produce an e-paper with outstanding image sticking performance.