We investigated the magnetic field dependence of the critical current density (Jc) in Ba0.6K0.4Fe2As2 with various configurations of columnar defects (CDs) introduced by 2.6 GeV U or 320 MeV Au irradiations.Splayed CDs are introduced by crossing CDs at a specific angle with respect to the c-axis, while tilted CDs are introduced by irradiating the sample from the direction tilted from the !-axis.We also prepared samples with asymmetric splayed CDs, which bridge the splayed CDs and the tilted CDs, by starting from the tilted CDs and adding CDs along the symmetric direction with respect to the !-axis.In all cases, non-monotonic magnetic field dependence of Jc, which we call anomalous peak effect, is observed at some fraction of the matching field when the magnetic field is applied along the specific direction depending on the configuration of CDs.We propose a model that explains the behavior of the anomalous peak effect in samples with different configuration of CDs.

We investigated the unstable interface between vortices and antivortices in single crystals of the iron-based superconductor (${\mathrm{Ba}}_{0.67}{\mathrm{Rb}}_{0.33}$)${\mathrm{Fe}}_{2}{\mathrm{As}}_{2}$ (${T}_{\mathrm{c}}\ensuremath{\sim}37.6$ K). This interface, also known as the Meissner hole, was captured with magneto-optical imaging in both a pristine crystal and one with artificial point defects. We confirmed the presence of local excess current flowing along the interface. The dynamics of such an interface qualitatively follows the prediction of the critical state model, accompanied by a finite relaxation rate of magnetization. However, quantitatively, the local relaxation of the Meissner hole can be much faster than that of magnetization due to local deformation of the excess current.

Weak antilocalization (WAL), an increase in the electrical conductivity at low temperatures associated with the suppression of electron localization due to quantum interference effects, is often observed in topological materials. In this paper, we report the observation of WAL in topologically nontrivial metal PbTaSe2 at low temperatures. In the pristine sample, we identified the presence of WAL, which is attributed to the topologically protected backscattering. In order to investigate the influence of disorder to the WAL, we successively introduced controlled amounts of disorder by H+ irradiation. As disorder increases, the diplike magnetoresistance caused by WAL changes to a linear magnetoresistance (MR), and eventually to a quadratic MR as the electronic system becomes highly localized. This research unveils the significance of disorder in shaping the quantum transport characteristics of topological materials. locked icon locked icon locked icon locked icon locked icon locked icon locked icon locked icon Physics Subject Headings (PhySH)Electrical conductivityIrradiation effectsMagnetoresistanceTopological superconductorsWeak antilocalizationSuperconductorsTopological materialsIrradiation