We report that a layered iron-based compound LaOFeAs undergoes superconducting transition under doping with F- ions at the O2- site. The transition temperature (Tc) exhibits a trapezoid shape dependence on the F- content, with the highest Tc of ∼26 K at ∼11 atom %.

We report the fabrication of transparent field-effect transistors using a single-crystalline thin-film transparent oxide semiconductor, InGaO3(ZnO)5, as an electron channel and amorphous hafnium oxide as a gate insulator. The device exhibits an on-to-off current ratio of approximately 106 and a field-effect mobility of approximately 80 square centimeters per volt per second at room temperature, with operation insensitive to visible light irradiation. The result provides a step toward the realization of transparent electronics for next-generation optoelectronics.

We report superconductivity in an iron-based layered oxy-pnictide LaOFeP. LaOFeP is composed of an alternate stack of lanthanum oxide (La3+O2-) and iron pnictide (Fe2+P3-) layers. Magnetic and electrical resistivity measurements verify the occurrence of the superconducting transition at ∼4 K.

Thin films of β-Ga2O3 with an energy band gap of 4.9 eV were prepared on silica glass substrates by a pulsed-laser deposition method. N-type conductivity up to ∼1 S cm−1 was obtained by Sn-ion doping and deposition under low O2 partial pressure (∼10−5 Pa) at substrate temperatures above 800 °C. The resulting internal transmittance at the wavelength (248 nm) of the KrF excimer laser exceeded 50% for the 100-nm-thick film, making this the most ultraviolet-transparent conductive oxide thin film to date and opening up prospects for applications such as ultraviolet transparent antistatic electric films in ultraviolet lithography.

We removed approximately 100% of clathrated oxygen ions from the crystallographic cages in a single crystal of 12CaO.7Al2O3, leading to the formation of high-density (approximately 2 x 10(21) cm-3) electrons highly localized in the cages. The resulting electron forms a structure that we interpret as an F+ center and migrates throughout the crystal by hopping to a neighboring cage with conductivity approximately 100 siemens per centimeter, demonstrating that the encaged electron behaves as an anion. The electron anions couple antiferromagnetically with each other, forming a diamagnetic pair or singlet bipolaron. The resulting [Ca24Al28O64]4+(4e-) may be regarded as a thermally and chemically stable single crystalline "electride."

Recently, we have demonstrated the potential of amorphous oxide semiconductors (AOSs) for developing flexible thin-film transistors (TFTs). A material exploration of AOSs desired as the channel layer in TFTs is most important for developing high-performance devices. Here, we report our concept of material exploration for AOSs in high-performance flexible and transparent TFTs from the viewpoints of chemical bonding and electronic structure in oxide semiconductors. We find that amorphous In–Ga–Zn–O (a-IGZO) exhibits good carrier transport properties such as reasonably high Hall mobilities (>10 cm2·V-1·s-1) and a good controllability of carrier concentration from <1015 to 1020 cm-3. In addition, a-IGZO films have better chemical stabilities in ambient atmosphere and at temperatures up to 500 °C. The flexible and transparent TFT fabricated using a-IGZO channel layer at room temperature operated with excellent performances, such as normally-off characteristics, on/off current ratios (∼106) and field-effect mobilities (∼10 cm2·V-1·s-1), which are higher by an order of magnitude than those of amorphous Si:H and organics TFTs.

This paper reports that among known p-type oxide semiconductors, tin monoxide (SnO) has a high hole mobility and produces good p-type oxide thin-film transistors (TFTs). Device-quality SnO films were grown epitaxially on (001) yttria-stabilized zirconia substrates at 575°C by pulsed laser deposition. These exhibited a Hall mobility of 2.4cm2V−1s−1 at room temperature. Top-gated TFTs, using epitaxial SnO channels, exhibited field-effect mobilities of 1.3cm2V−1s−1, on/off current ratios of ∼102, and threshold voltages of 4.8V.