Healthy Research Rewards
ResearchHub is incentivizing healthy research behavior. At this time, first authors of open access papers are eligible for rewards. Visit the publications tab to view your eligible publications.
Got it
GB
Ganesh Bhimanapati
Author with expertise in Graphene: Properties, Synthesis, and Applications
Achievements
Cited Author
Key Stats
Upvotes received:
0
Publications:
3
(0% Open Access)
Cited by:
2,784
h-index:
11
/
i10-index:
11
Reputation
Biology
< 1%
Chemistry
< 1%
Economics
< 1%
Show more
How is this calculated?
Publications
0

Recent Advances in Two-Dimensional Materials beyond Graphene

Ganesh Bhimanapati et al.Nov 6, 2015
The isolation of graphene in 2004 from graphite was a defining moment for the "birth" of a field: two-dimensional (2D) materials. In recent years, there has been a rapidly increasing number of papers focusing on non-graphene layered materials, including transition-metal dichalcogenides (TMDs), because of the new properties and applications that emerge upon 2D confinement. Here, we review significant recent advances and important new developments in 2D materials "beyond graphene". We provide insight into the theoretical modeling and understanding of the van der Waals (vdW) forces that hold together the 2D layers in bulk solids, as well as their excitonic properties and growth morphologies. Additionally, we highlight recent breakthroughs in TMD synthesis and characterization and discuss the newest families of 2D materials, including monoelement 2D materials (i.e., silicene, phosphorene, etc.) and transition metal carbide- and carbon nitride-based MXenes. We then discuss the doping and functionalization of 2D materials beyond graphene that enable device applications, followed by advances in electronic, optoelectronic, and magnetic devices and theory. Finally, we provide perspectives on the future of 2D materials beyond graphene.
0

Vertical 2D/3D Semiconductor Heterostructures Based on Epitaxial Molybdenum Disulfide and Gallium Nitride

Dmitry Ruzmetov et al.Feb 11, 2016
When designing semiconductor heterostructures, it is expected that epitaxial alignment will facilitate low-defect interfaces and efficient vertical transport. Here, we report lattice-matched epitaxial growth of molybdenum disulfide (MoS2) directly on gallium nitride (GaN), resulting in high-quality, unstrained, single-layer MoS2 with strict registry to the GaN lattice. These results present a promising path toward the implementation of high-performance electronic devices based on 2D/3D vertical heterostructures, where each of the 3D and 2D semiconductors is both a template for subsequent epitaxial growth and an active component of the device. The MoS2 monolayer triangles average 1 Î¼m along each side, with monolayer blankets (merged triangles) exhibiting properties similar to that of single-crystal MoS2 sheets. Photoluminescence, Raman, atomic force microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy analyses identified monolayer MoS2 with a prominent 20-fold enhancement of photoluminescence in the center regions of larger triangles. The MoS2/GaN structures are shown to electrically conduct in the out-of-plane direction, confirming the potential of directly synthesized 2D/3D semiconductor heterostructures for vertical current flow. Finally, we estimate a MoS2/GaN contact resistivity to be less than 4 Î©Â·cm2 and current spreading in the MoS2 monolayer of approximately 1 Î¼m in diameter.