A 12.6% Cu2ZnSnSxSe4–x (CZTSSe) solar cell is presented with detailed device characteristics. Both short-circuit current density (Jsc) and open circuit voltage (Voc) increase in the 12.6% champion, relative to previous devices, due to better bulk CZTSSe quality and improved optical architecture. The reduction in Voc deficit shows opportunities to push CZTSSe solar cells to higher efficiency.

High-efficiency Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells are reported by applying In2S3/CdS double emitters. This new structure offers a high doping concentration within the Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells, resulting in a substantial enhancement in open-circuit voltage. The 12.4% device is obtained with a record open-circuit voltage deficit of 593 mV.