Thin layers of insulators, from 100 Å to 20 000 Å thick, have a number of interesting electrical properties. These properties include forming, which is a profound and essentially permanent change produced by an electrical field, and, after forming, differential negative resistance together with switching and memory phenomena. Electroluminescence and electron emission also occur.

Inhomogeneous broadening has been observed in resonance lines in solids over the wide range of energies spanned by nuclear magnetic resonance, electron spin resonance, optical, and M\"ossbauer methods. The broadening arises from random strains, electric fields, and other perturbations from the defects in the lattice containing the centre whose transitions are studied. This paper reviews the calculation of the shapes of such resonance lines. The most important method used is the so-called statistical method. This method determines the line shape as a function of the distribution of the defects with respect to the centres studied, the density of the defects, and the perturbation fields of the individual defects. Emphasis is laid on the physical assumptions and approximations in this method and on its relation to other approaches. The theory is applied to a variety of broadening mechanisms, both in the widely used continuum approximation for the lattice containing the defects and in the more realistic discrete-lattice model. Two classes of experimental work are reviewed. The first deals with the ways in which resonance lines are recognised as being inhomogeneously broadened. These methods show that a wide range of phenomena can be used to check the theory of the line shapes. The second discussion of the experimental work compares theory and experiment for each of the various broadening mechanisms. These mechanisms include broadening by the strains from dislocations and point defects, by the electric fields and field gradients from charged defects, and by unresolved hyperfine structure. In each case theory and experiment are compared in detail for the system for which the most complete data are available. The conclusion is that the statistical method provides a satisfactory approach in all cases for which there are adequate data.

This paper is a comprehensive review of the state-of-knowledge in the field of radiation effects in glasses that are to be used for the immobilization of high-level nuclear waste and plutonium disposition. The current status and issues in the area of radiation damage processes, defect generation, microstructure development, theoretical methods and experimental methods are reviewed. Questions of fundamental and technological interest that offer opportunities for research are identified.

The forming process, by which changes are brought about in the electronic conduction of thin films of various binary amorphous oxides and halides, is first described, and experimental evidence is put forward which contradicts an earlier theory of the forming process in gold-silicon monoxide-metal structures. A theory is developed, in terms of the growth and thermal rupture of many conducting filaments through the insulating layer, to explain the observed voltage controlled negative resistance, electron emission, electroluminescence and memory phenomena. The model is presented firstly in its simplest phenomenological form, after which some atomic mechanisms which may be involved are tentatively discussed. It is further shown that there is evidence to suggest that the forming process in important in a wide range of systems. These include metal-oxide-silicon capacitors and transistors, surface-barrier junctions on silicon, oxide-coated thermionic cathodes and anodic oxide layers. Electronic conduction in each of these cases is held to take place through localized filamentary paths. The relationship between this and other filamentary conduction models is briefly discussed, and a general classification of negative-resistance devices into regenerative and non-regenerative systems is made.