Healthy Research Rewards
ResearchHub is incentivizing healthy research behavior. At this time, first authors of open access papers are eligible for rewards. Visit the publications tab to view your eligible publications.
Got it
SE
Sarah Eichfeld
Author with expertise in Two-Dimensional Materials
Achievements
Cited Author
Key Stats
Upvotes received:
0
Publications:
5
(40% Open Access)
Cited by:
1,908
h-index:
21
/
i10-index:
27
Reputation
Biology
< 1%
Chemistry
< 1%
Economics
< 1%
Show more
How is this calculated?
Publications
0

Highly Scalable, Atomically Thin WSe2 Grown via Metal–Organic Chemical Vapor Deposition

Sarah Eichfeld et al.Jan 27, 2015
Tungsten diselenide (WSe2) is a two-dimensional material that is of interest for next-generation electronic and optoelectronic devices due to its direct bandgap of 1.65 eV in the monolayer form and excellent transport properties. However, technologies based on this 2D material cannot be realized without a scalable synthesis process. Here, we demonstrate the first scalable synthesis of large-area, mono and few-layer WSe2 via metal–organic chemical vapor deposition using tungsten hexacarbonyl (W(CO)6) and dimethylselenium ((CH3)2Se). In addition to being intrinsically scalable, this technique allows for the precise control of the vapor-phase chemistry, which is unobtainable using more traditional oxide vaporization routes. We show that temperature, pressure, Se:W ratio, and substrate choice have a strong impact on the ensuing atomic layer structure, with optimized conditions yielding >8 μm size domains. Raman spectroscopy, atomic force microscopy (AFM), and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) confirm crystalline monoto-multilayer WSe2 is achievable. Finally, TEM and vertical current/voltage transport provide evidence that a pristine van der Waals gap exists in WSe2/graphene heterostructures.
0
Paper
Citation364
0
Save
0

Vertical 2D/3D Semiconductor Heterostructures Based on Epitaxial Molybdenum Disulfide and Gallium Nitride

Dmitry Ruzmetov et al.Feb 11, 2016
When designing semiconductor heterostructures, it is expected that epitaxial alignment will facilitate low-defect interfaces and efficient vertical transport. Here, we report lattice-matched epitaxial growth of molybdenum disulfide (MoS2) directly on gallium nitride (GaN), resulting in high-quality, unstrained, single-layer MoS2 with strict registry to the GaN lattice. These results present a promising path toward the implementation of high-performance electronic devices based on 2D/3D vertical heterostructures, where each of the 3D and 2D semiconductors is both a template for subsequent epitaxial growth and an active component of the device. The MoS2 monolayer triangles average 1 μm along each side, with monolayer blankets (merged triangles) exhibiting properties similar to that of single-crystal MoS2 sheets. Photoluminescence, Raman, atomic force microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy analyses identified monolayer MoS2 with a prominent 20-fold enhancement of photoluminescence in the center regions of larger triangles. The MoS2/GaN structures are shown to electrically conduct in the out-of-plane direction, confirming the potential of directly synthesized 2D/3D semiconductor heterostructures for vertical current flow. Finally, we estimate a MoS2/GaN contact resistivity to be less than 4 Ω·cm2 and current spreading in the MoS2 monolayer of approximately 1 μm in diameter.