YL
Yanhui Lv
Author with expertise in Photocatalytic Materials for Solar Energy Conversion
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A Strategy of Enhancing the Photoactivity of g-C3N4 via Doping of Nonmetal Elements: A First-Principles Study

Xinguo Ma et al.Oct 19, 2012
An effective structural doping approach has been described to modify the photoelectrochemical properties of g-C3N4 by doping with nonmetal (sulfur or phosphorus) impurities. Here, the substitutional and interstitial doped models of g-C3N4 systems were constructed with different doped sites, and then their dopant formation energies and electronic properties were performed to study the stability and visible-light photoactivity using first-principles density functional theory, respectively. Our results have identified that an S atom preferentially substitutes for the edge N atom of g-C3N4; however, a P atom preferentially situates the interstitial sites of in-planar of g-C3N4. Furthermore, it is demonstrated that the doping with nonmetal impurities reduces the energy gap to enhance the visible-light absorption of g-C3N4. The increased dispersion of the contour distribution of the HOMO and LUMO brought by doping facilitates the enhancement of the carrier mobility, while the noncoplanar HOMO and LUMO favor the separation of photogenerated electron–hole pairs. Especially, P interstitial doping shows a prominent potential due to the appearance of a new channel for carrier migration. It should be pointed out that the proper doping form should be controlled, so that reasonable photoelectrochemical properties can be achieved.
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Defect-related photoluminescence and photocatalytic properties of porous ZnO nanosheets

Di Liu et al.Jul 10, 2014
A porous ZnO nanosheet with a near-rectangular morphology has been successfully prepared through a simple solvothermal-annealing method using Zn5(OH)6(CO3)2 as a pore-directing agent. Moreover, the features of ZnO can be easily tuned by changing the annealing temperature. The evolution of defects along with the increase of annealing temperature has been revealed as follows: the content of surface oxygen vacancy of the as-prepared samples first increases and then decreases, however, the content of impurities decreases gradually. A clear relationship between the defects and photoluminescence/photocatalytic characteristics of ZnO is observed. The defect-related emission mechanism of the visible photoluminescence (PL) for the as-prepared ZnO samples has been proposed. In addition, the samples also show good activities for photo-degradation of phenol under UV light irradiation. ZnO-500 °C (annealed at 500 °C) exhibits the best photocatalytic activity, which is superior to that of commercial ZnO. The photocatalytic activity can be greatly influenced by the relative concentration ratio of surface defects to bulk defects, crystallization performance and specific surface area.