LZ
Lingli Zheng
Author with expertise in Gas Sensing Technology and Materials
Achievements
Cited Author
Key Stats
Upvotes received:
0
Publications:
4
(25% Open Access)
Cited by:
769
h-index:
21
/
i10-index:
26
Reputation
Biology
< 1%
Chemistry
< 1%
Economics
< 1%
Show more
How is this calculated?
Publications
0

Oxygen Vacancies Enabled Porous SnO2 Thin Films for Highly Sensitive Detection of Triethylamine at Room Temperature

Yongshan Xu et al.Apr 15, 2020
Detection of volatile organic compounds (VOCs) at room temperature (RT) currently remains a challenge for metal oxide semiconductor (MOS) gas sensors. Herein, for the first time, we report on the utilization of porous SnO2 thin films for RT detection of VOCs by defect engineering of oxygen vacancies. The oxygen vacancies in the three-dimensional-ordered SnO2 thin films, prepared by a colloidal template method, can be readily manipulated by thermal annealing at different temperatures. It is found that oxygen vacancies play an important role in the RT sensing performances, which successfully enables the sensor to respond to triethylamine (TEA) with an ultrahigh response, for example, 150.5–10 ppm TEA in a highly selective manner. In addition, the sensor based on oxygen vacancy-rich SnO2 thin films delivers a fast response and recovery speed (53 and 120 s), which can be further shortened to 10 and 36 s by elevating the working temperature to 120 °C. Notably, a low detection limit of 110 ppb has been obtained at RT. The overall performances surpass most previous reports on TEA detection at RT. The outstanding sensing properties can be attributed to the porous structure with abundant oxygen vacancies, which can improve the adsorption of molecules. The oxygen vacancy engineering strategy and the on-chip fabrication of porous MOS thin film sensing layers deliver great potential for creating high-performance RT sensors.
0

MoS2 Van der Waals p–n Junctions Enabling Highly Selective Room‐Temperature NO2 Sensor

Wei Zheng et al.Mar 6, 2020
Abstract Van der Waals p–n junctions of 2D materials present great potential for electronic devices due to the fascinating properties at the junction interface. In this work, an efficient gas sensor based on planar 2D van der Waals junctions is reported by stacking n‐type and p‐type atomically thin MoS 2 films, which are synthesized by chemical vapor deposition (CVD) and soft‐chemistry route, respectively. The electrical conductivity of the van der Waals p–n junctions is found to be strongly affected by the exposure to NO 2 at room temperature (RT). The MoS 2 p–n junction sensor exhibits an outstanding sensitivity and selectivity to NO 2 at RT, which are unavailable in sensors based on individual n‐type or p‐type MoS 2 . The sensitivity of 20 ppm NO 2 is improved by 60 times compared to a p‐type MoS 2 sensor, and an extremely low limit of detection of 8 ppb is obtained under ultraviolet irradiation. Complete and very fast sensor recovery is achieved within 30 s. These results are superior to most of the previous reports related to NO 2 detection. This work establishes an entirely new sensing platform and proves the feasibility of using such materials for the high‐performance detection of gaseous molecules at RT.