Abstract A low‐thermal‐budget fabrication approach is developed to realize high‐performance fluorine‐doped indium oxide (In 2 O 3 :F) thin‐film transistors (TFTs) with remarkable bias‐stress stability. The ultrathin transistor channel layer is prepared by a re‐developed atomic layer deposition (ALD) process of using cyclopentadienyl indium(I) (InCp) and O 2 plasma to deposit a crystalline In 2 O 3 film, followed by a new fluorine doping strategy to use CF 4 plasma to afford the In 2 O 3 :F layer. As revealed by the density functional theory (DFT) analysis, the fluorine doping can stabilize the lattice oxygen and electrically passivate the problematic V O defects in In 2 O 3 by forming the F O F i spectator defects. Therefore, the fabricated In 2 O 3 :F TFTs show simultaneously excellent electrical performance and remarkable bias‐stress stability, with high µ FE of 35.9 cm 2 V −1 s −1 , positive V th of 0.36 V, steep SS of 94.3 mV dec −1 , small hysteresis of 33 mV, and small Δ V th of −111 and 49 mV under NBS and PBS, respectively. This work demonstrates the high promise of the fluorinated ALD In 2 O 3 :F TFTs for the CMOS back‐end‐of‐line (BEOL) compatible technologies toward advanced monolithic 3D integration.

We achieve high‐framerate (< 100 μs) high‐contrast‐ratio ferroelectric liquid crystal displays (FLCD) on Gen 4.5. Innovatively, a new polyimide (PI) that is suitable for ferroelectric liquid crystal (FLC) alignment is synthesized and tested on the production line. It replaces Nylon 6 (N6), which was the barrier to the commercialization of FLCD. Moreover, a new FLC is synthesized to match requirements in mass production. Additionally, various materials were studied to investigate the surface energy and relative performance. It is not only proof of the feasibility on the production line, but also a significant step towards the commercialization of field‐sequential‐color high‐resolution FLCDs.