JL
Jing Liu
Author with expertise in Electrocatalysis for Energy Conversion
Achievements
Cited Author
Key Stats
Upvotes received:
0
Publications:
9
(22% Open Access)
Cited by:
1,583
h-index:
28
/
i10-index:
47
Reputation
Biology
< 1%
Chemistry
< 1%
Economics
< 1%
Show more
How is this calculated?
Publications
0

Effect of Surface Manganese Valence of Manganese Oxides on the Activity of the Oxygen Reduction Reaction in Alkaline Media

Qiwen Tang et al.Dec 18, 2013
In this article, manganese oxide nanorods with different crystalline structures, i.e., β-MnO2, α-Mn2O3, and a composite of Mn3O4 and α-Mn2O3, were successfully synthesized via controlling the heat-treatment procedure starting from a manganese oxide composite, containing γ-MnOOH and Mn(OH)4. The oxygen reduction reaction (ORR) polarization curves measured by a rotating disk electrode (RDE) setup show that those MnOx catalysts with higher Mn valent states, i.e., γ-MnOOH and Mn(OH)4 composite and β-MnO2, exhibit better catalytic activity toward the ORR than those with lower Mn valences. Furthermore, we testify that the surface Mn valence of MnOx could be tuned by applying proper potential cycling to the MnOx electrode and thus leads to different activities, i.e., the MnOx surface is rich in Mn(II) after treatment at relatively negative potentials, resulting in degradation in ORR activity, while it is rich in Mn(IV) after treatment at positive potentials, resulting in improvement in activity. Compared with the heat-treatment approach, the electrochemical approach is more facile and energy-saving to tune the surface metal valence and thus ORR activity.
0

A study on the high mobility and improved reliability of Pr-doped indium zinc oxide thin film transistors

Juncheng Xiao et al.Jun 5, 2024
Abstract It is generally accepted that there is a trade-off relationship between mobility and stability for oxide thin film transistor (TFT) devices. Different doping ratios of Ln praseodymium (Pr) into indium (In) zinc (Zn) oxide have been employed as the active layer to get 1# and 2# amorphous oxide semiconductor (AOS) TFTs in this work. The 1#-based TFTs exhibited a high mobility of 49.84 cm2 V−1 s−1 due to the increased concentration of In. By further elevating the Pr doping ratio of the film, the 2#-based TFT obtained both a good mobility of 26.65 cm2 V−1 s−1, and a promising stability, showing a positive-bias temperature stress (PBTS) stability of ∆VTH = 1.56 V and a negative-bias temperature illumination stress (NBTIS) stability of ∆VTH = −1.47 V. It was revealed that the low energy charge transfer state of Pr in 2# film absorbs the visible light, leading to suppressed photo-induced carriers and thus a good illumination reliability of the 2#-based TFTs. In practice, the LCD panel based 2# ACT TFT shows a well stable performance even under 10000-nit illumination. The result indicates a promising strategy to accelerate the commercialization of AOS TFTs to large-panel display production.