The back gate multilayer InSe FETs exhibit ultrahigh carrier mobilities, surpassing all the reported layer semiconductor based electronics with the same device configuration, which is achieved by the suppression of the carrier scattering from interfacial coulomb impurities or surface polar phonons at the interface of an oxidized dielectric substrate. The room-temperature mobilities of multilayer InSe transistors increase from 64 cm2V−1s−1 to 1055 cm2V−1s−1 using a bilayer dielectric of poly-(methyl methacrylate) (PMMA)/Al2O3. The transistors also have high current on/off ratios of 1 × 108, low standby power dissipation, and robust current saturation in a broad voltage range. As a service to our authors and readers, this journal provides supporting information supplied by the authors. Such materials are peer reviewed and may be re-organized for online delivery, but are not copy-edited or typeset. Technical support issues arising from supporting information (other than missing files) should be addressed to the authors. Please note: The publisher is not responsible for the content or functionality of any supporting information supplied by the authors. Any queries (other than missing content) should be directed to the corresponding author for the article.

Detection of volatile organic compounds (VOCs) at room temperature (RT) currently remains a challenge for metal oxide semiconductor (MOS) gas sensors. Herein, for the first time, we report on the utilization of porous SnO2 thin films for RT detection of VOCs by defect engineering of oxygen vacancies. The oxygen vacancies in the three-dimensional-ordered SnO2 thin films, prepared by a colloidal template method, can be readily manipulated by thermal annealing at different temperatures. It is found that oxygen vacancies play an important role in the RT sensing performances, which successfully enables the sensor to respond to triethylamine (TEA) with an ultrahigh response, for example, 150.5–10 ppm TEA in a highly selective manner. In addition, the sensor based on oxygen vacancy-rich SnO2 thin films delivers a fast response and recovery speed (53 and 120 s), which can be further shortened to 10 and 36 s by elevating the working temperature to 120 °C. Notably, a low detection limit of 110 ppb has been obtained at RT. The overall performances surpass most previous reports on TEA detection at RT. The outstanding sensing properties can be attributed to the porous structure with abundant oxygen vacancies, which can improve the adsorption of molecules. The oxygen vacancy engineering strategy and the on-chip fabrication of porous MOS thin film sensing layers deliver great potential for creating high-performance RT sensors.

Single atom Pt significantly improves the sensing performances of ultrathin SnO₂ films for detection of triethylamine.

Abstract Van der Waals p–n junctions of 2D materials present great potential for electronic devices due to the fascinating properties at the junction interface. In this work, an efficient gas sensor based on planar 2D van der Waals junctions is reported by stacking n‐type and p‐type atomically thin MoS 2 films, which are synthesized by chemical vapor deposition (CVD) and soft‐chemistry route, respectively. The electrical conductivity of the van der Waals p–n junctions is found to be strongly affected by the exposure to NO 2 at room temperature (RT). The MoS 2 p–n junction sensor exhibits an outstanding sensitivity and selectivity to NO 2 at RT, which are unavailable in sensors based on individual n‐type or p‐type MoS 2 . The sensitivity of 20 ppm NO 2 is improved by 60 times compared to a p‐type MoS 2 sensor, and an extremely low limit of detection of 8 ppb is obtained under ultraviolet irradiation. Complete and very fast sensor recovery is achieved within 30 s. These results are superior to most of the previous reports related to NO 2 detection. This work establishes an entirely new sensing platform and proves the feasibility of using such materials for the high‐performance detection of gaseous molecules at RT.

Thickness dependent photon adsorption and phototransistors of multilayer InSe nanosheets have been demonstrated. Phototransistors based on InSe show a broad spectral response and ultrahigh photoresponsivity and detectiviy.

Abstract In gas sensor technology, current research efforts are focused on developing a high performance miniaturized gas sensor operating at room temperature. In recent years, layered semiconducting material MoS 2 has gained vast attention in sensing field owing to the detection of a variety of analytes at room temperature, high surface‐to‐volume ratio, and also provided substantial advantages in emerging flexible and wearable sensing field. Herein, a state‐of‐art overview of the utilization of burgeoning MoS 2 research in gas sensing applications is provided. The synthesis of some exciting different nanostructures and hybrids of the MoS 2 on a rigid as well as flexible substrate is summarized, as they play an important role in tuning the gas sensing characteristic of the MoS 2 . The gas sensing performance of the MoS 2 sensors with proposed mechanisms is discussed in the context of a wide range of different morphologies/nanostructures, nanocomposites, van der Waals heterostructures, and photoactivation effects. Moreover, rapid advances and growing significance of the MoS 2 on the emerging flexible gas sensing platform are also highlighted. Finally, some insights into new challenges and future perspectives in the promising MoS 2 research for gas sensing applications are presented.