A novel ultrathin elevated channel thin-film transistor (UT-ECTFT) made using low-temperature poly-Si is proposed. The structure has an ultrathin channel region (300 /spl Aring/) and a thick drain/source region. The thin channel is connected to the heavily doped drain/source through a lightly doped overlapped region. The lightly doped overlapped region provides an effective way to spread out the electric field at the drain, thereby reducing significantly the lateral electric field there at high drain bias. Thus, the UT-ECTFT exhibits excellent current saturation characteristics even at high bias (V/sub ds/=30 V, V/sub gs/=20 V). Moreover, the UT-ECTFT has more than two times increase in on-state current and 3.5 times reduction in off-state current compared to conventional thick channel TFT's.

Integration of organic/inorganic hybrid perovskites with metallic or semiconducting phases of 2D MoS2 nanosheets via solution processing is demonstrated. The results show that the collection of charge carriers is strongly dependent on the electronic properties of the 2D MoS2 with metallic MoS2 showing high responsivity and the semiconducting phase exhibiting high on/off ratios.

Abstract A low‐thermal‐budget fabrication approach is developed to realize high‐performance fluorine‐doped indium oxide (In 2 O 3 :F) thin‐film transistors (TFTs) with remarkable bias‐stress stability. The ultrathin transistor channel layer is prepared by a re‐developed atomic layer deposition (ALD) process of using cyclopentadienyl indium(I) (InCp) and O 2 plasma to deposit a crystalline In 2 O 3 film, followed by a new fluorine doping strategy to use CF 4 plasma to afford the In 2 O 3 :F layer. As revealed by the density functional theory (DFT) analysis, the fluorine doping can stabilize the lattice oxygen and electrically passivate the problematic V O defects in In 2 O 3 by forming the F O F i spectator defects. Therefore, the fabricated In 2 O 3 :F TFTs show simultaneously excellent electrical performance and remarkable bias‐stress stability, with high µ FE of 35.9 cm 2 V −1 s −1 , positive V th of 0.36 V, steep SS of 94.3 mV dec −1 , small hysteresis of 33 mV, and small Δ V th of −111 and 49 mV under NBS and PBS, respectively. This work demonstrates the high promise of the fluorinated ALD In 2 O 3 :F TFTs for the CMOS back‐end‐of‐line (BEOL) compatible technologies toward advanced monolithic 3D integration.

Lanthanide‐doped indium zinc oxide (Ln‐IZO) was employed as the active channel layer (ACT) of thin film transistors (TFTs). The, Ln‐IZO, single‐1 ACT‐based TFT exhibited a high mobility and a small threshold voltage shift (∆VTH) within −1 V after 1‐hour negative bias temperature illumination stress (NBTIS). However, the corresponding ∆ VTH of 1‐hour positive bias temperature stress (PBTS) was as large as over 8 V. Optimized stacked structures of the ACT were adopted and obtained a significantly improved stability of PBTS. TFTs based on double‐2 ACT (Ln‐IZO/IGZO‐1) and triple‐2 ACT (Ln‐IZO/IGZO‐1/IGZO‐2) exhibited significantly lower ∆VTHs of 1.79 and 1.62 V under PBTS, respectively. Meanwhile, the excellent NBTIS stability with ∆VTH within −1 V was maintained for both double‐2‐ and triple‐2‐based TFTs. Furthermore, an appreciated VTH uniformity was obtained for triple‐2‐based TFTs, with a narrow range width of only 0.5 V. At the same time, we proposed a PBTS fitting model, using the stretched power‐law function, ∆ VTH = kTr for the deterioration of Ln‐oxide TFTs under long‐term operation. According to the proposed model, the ∆VTH could be maintained within 6 V even after 200‐hour PBTS for TFT based on triple‐2.

Nitrogen addition is commonly used to remediate total petroleum hydrocarbons (TPH) in petroleum-contaminated soils. However, acceptable exogenous nitrogen dosages and their utilization efficiency for the degradation of hydrocarbons in oil-polluted soils are not well understood. This study compared the hydrocarbon bioremediation capacity by applying different doses of NH

An analog pulse‐width‐modulation (A‐PWM) Micro‐LED (μLED) pixel circuit based on low‐temperature‐polysilicon (LTPS) thin‐film transistors (TFTs) for mobile displays is proposed. The progressive‐emission mode is implemented using a single Sweep (SW) signal by in‐pixel logic operation circuits. By adjusting the emission time of the progressive‐emission mode, the μLED is biased with the maximum quantum efficiency (EQE). Consequently, the static power consumption of proposed pixels is reduced by 29.2%, compared with conventional schemes.

We achieve high‐framerate (< 100 μs) high‐contrast‐ratio ferroelectric liquid crystal displays (FLCD) on Gen 4.5. Innovatively, a new polyimide (PI) that is suitable for ferroelectric liquid crystal (FLC) alignment is synthesized and tested on the production line. It replaces Nylon 6 (N6), which was the barrier to the commercialization of FLCD. Moreover, a new FLC is synthesized to match requirements in mass production. Additionally, various materials were studied to investigate the surface energy and relative performance. It is not only proof of the feasibility on the production line, but also a significant step towards the commercialization of field‐sequential‐color high‐resolution FLCDs.